美国OPTO DIODE位置传感器ODD-SXUV-DLPSD
美国OPTO DIODE位置传感器ODD-SXUV-DLPSD
产品价格:¥1200(人民币)
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      天津瑞利光电科技有限公司优势经销美国OPTO DIODE位置传感器ODD-SXUV-DLPSD

      产品型号:ODD-SXUV-DLPSD

      关键字:OPTO DIODE位置传感器ODD-SXUV-DLPSD

      关键字描述:

      产品介绍:

      ODD-SXUV-DLPSD,双侧UV / EUV亚微米位置分辨率传感器。新设备在暴露于紫外线和/或极紫外辐射后可提供高度稳定的响应。它采用TO-8无窗口封装,可大程度减少暴露于强烈的UV/EUV光子后二极管的响应度变化。ODD-SXUV-DLPSD的有效面积为5 mm x 5 mm,非常适合光刻应用以及需要使用200 nm以下波长的任何定位应用。

      连续位置检测光电二极管设计用于位置检测1 nm至400 nm波长的光。在13 nm处的响应度通常为0.20 A/W;254 nm的响应度通常为0.02 A/W。在工作条件下,暗电流为10(典型值)和50(max.)nA。新的ODD-SXUV-DLPSD具有反向击穿电压,min.50伏,电容为40(典型值)至60(max.)pF。操作和存储温度范围从-10℃到40℃(环境温度)和-20℃到80℃(在氮气或真空条件下)。结温为max.70℃,引线焊接温度为0.080英寸,距外壳10秒钟为260℃。

      参数:

      活动区域:25 mm2

      响应度R@13nm:0.20 A/W

      响应度R@254nm:0.02 A/W

      反向击穿电压,VR:min.50 V

      电容,C:40pF(典型),60 pF(max)

      上升时间VR = 30V,RL =50Ω:200 nm

      分流电阻Vr =±10mV :5 MOhms

      电极间电阻:5,000(min),10,000(典型),15,000(max)欧姆

      ID的温度系数:1.15次/oC

      位置非线性:±1 %(典型),±2%(max)


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