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本发明公开一种BOE腐蚀的工艺方法，在光刻工艺的刻蚀过程中，通过将硅片在酸液中上下运动后减少腐蚀过程中依附在硅片上的气泡量，然后把片架整体提出液面1S，通过压力的快速变化，使依附在硅片上的气泡易于破碎，最后再将硅片放入酸液中继续上下运动，循环腐蚀12min，从而实现对硅片的腐蚀，同时，本发明中是通过BOE腐蚀槽来对硅片进行腐蚀，通过使腐蚀液循环流动，保持在腐蚀过程中内槽内各位置腐蚀液的浓度保持一致，同时，流动的腐蚀液能够将依附在硅片上的气泡完全或大部分去除，提升硅片腐蚀的一致性，降低腐蚀过程中生成的气泡对腐蚀效果的影响。
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