.jpg "IXFN106N20德国IXYS艾赛斯SOT-227MOS管全新供应")
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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | ||
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | 23 | ||
| 数量 | 1000 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | ChassisMount | ||
| 封装/箱体 | SOT-227-4 | ||
| 通道数量 | 1Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 200V | ||
| Id-连续漏极电流 | 106A | ||
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20mOhms | ||
| Vgs-栅极-源极电压 | 20V | ||
| 最小工作温度 | -55C | ||
| 最大工作温度 | 150C | ||
| Pd-功率耗散 | 520W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 9.6mm | ||
| 长度 | 38.2mm | ||
| 系列 | HiPerFET | ||
| 晶体管类型 | 1N-Channel | ||
| 宽度 | 25.07mm | ||
| 正向跨导-最小值 | 60S | ||
| 下降时间 | 30ns | ||
| 上升时间 | 80ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 75ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 30ns | ||
| 单位重量 | 30g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | IXFN106N20 | ||
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技术参数
| 品牌： | IXYS |
| 型号： | IXFN106N20 |
| 封装： | 标准封装 |
| 批号： | 23 |
| 数量： | 1000 |
| 制造商： | IXYS |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Chassis Mount |
| 封装 / 箱体： | SOT-227-4 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 106 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 20 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 520 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 9.6 mm |
| 长度： | 38.2 mm |
| 系列： | HiPerFET |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 25.07 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 60 S |
| 下降时间： | 30 ns |
| 上升时间： | 80 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 75 ns |
| 典型接通延迟时间： | 30 ns |
| 单位重量： | 30 g |
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