IXFN230N20T德国IXYS艾赛斯SOT-227MOS管全新供应
IXFN230N20T德国IXYS艾赛斯SOT-227MOS管全新供应
产品价格:¥125.0000(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:福建省厦门市
  • 品牌:
  • 最小起订量:1
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    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
    企业证件:通过认证

    商铺名称:厦门屹宏电子科技有限公司

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    商品详情
      产品参数
      品牌IXYS
      封装标准封装
      批号23
      数量1000
      制造商IXYS
      产品种类分立半导体模块
      RoHS
      Vgs - 栅极-源极电压- 20 V
      20 V
      安装风格Screw Mounts
      封装 / 箱体SOT-227-4
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 175 C
      系列IXFN230N20
      配置Single
      下降时间17 ns
      高度12.22 mm
      Id-连续漏极电流220 A
      长度38.23 mm
      通道数量1 Channel
      Pd-功率耗散1.09 mW
      Rds On-漏源导通电阻7.5 mOhms
      上升时间38 ns
      晶体管极性62 ns
      典型关闭延迟时间58 ns
      典型接通延迟时间200 V
      Vds-漏源极击穿电压3 V
      Vgs th-栅源极阈值电压25.42 mm
      宽度30 g
      可售卖地全国
      型号IXFN230N20T


      技术参数

      品牌:IXYS
      型号:IXFN230N20T
      封装:标准封装
      批号:23
      数量:1000
      制造商:IXYS
      产品种类:分立半导体模块
      RoHS:
      Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 V
      安装风格:Screw Mounts
      封装 / 箱体:SOT-227-4
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 175 C
      系列:IXFN230N20
      配置:Single
      下降时间:17 ns
      高度:12.22 mm
      Id-连续漏极电流:220 A
      长度:38.23 mm
      通道数量:1 Channel
      Pd-功率耗散:1.09 mW
      Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms
      上升时间:38 ns
      晶体管极性:62 ns
      典型关闭延迟时间:58 ns
      典型接通延迟时间:200 V
      Vds-漏源极击穿电压:3 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:25.42 mm
      宽度:30 g
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