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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | INFINEON | ||
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | 23 | ||
| 数量 | 300 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 产品种类 | IGBT 模块 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 配置 | Dual | ||
| 集电极—射极饱和电压 | 1.75 V | ||
| 在25 C的连续集电极电流 | 150 A | ||
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 790 W | ||
| 封装 / 箱体 | Module | ||
| 最小工作温度 | - 40 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
| 零件号别名 | FF150R12RT4HOSA1 SP000624908 FF150R12RT4HOSA1 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | FF150R12RT4 | ||
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技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | FF150R12RT4 |
| 封装： | 标准封装 |
| 批号： | 23 |
| 数量： | 300 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 150 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 100 nA |
| Pd-功率耗散： | 790 W |
| 封装 / 箱体： | Module |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 零件号别名： | FF150R12RT4HOSA1 SP000624908 FF150R12RT4HOSA1 |
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