.jpg "IXFN230N10德国IXYS艾赛斯SOT-227MOS管全新供应")
商铺名称：厦门屹宏电子科技有限公司
联系人：王小姐（）
联系手机：
固定电话：
企业邮箱：656368133@qq.com
联系地址：厦门市湖里区泗水道605号1004单元
邮编：361000
联系我时，请说是在智能安防网上看到的，谢谢！
商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | ||
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | 23 | ||
| 数量 | 1000 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 产品种类 | 分立半导体模块 | ||
| RoHS | 是 | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V | ||
| 20 V | |||
| 安装风格 | Screw Mounts | ||
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 系列 | HiPerFET | ||
| 配置 | Single | ||
| 下降时间 | 60 ns | ||
| 高度 | 9.6 mm | ||
| Id-连续漏极电流 | 230 A | ||
| 长度 | 38.23 mm | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| Pd-功率耗散 | 700 W | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms | ||
| 上升时间 | 150 ns | ||
| 晶体管极性 | 112 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 100 V | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 25.42 mm | ||
| 宽度 | 30 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | IXFN230N10 | ||
.jpg)
技术参数
| 品牌： | IXYS |
| 型号： | IXFN230N10 |
| 封装： | 标准封装 |
| 批号： | 23 |
| 数量： | 1000 |
| 制造商： | IXYS |
| 产品种类： | 分立半导体模块 |
| RoHS： | 是 |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, 20 V |
| 安装风格： | Screw Mounts |
| 封装 / 箱体： | SOT-227-4 |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| 系列： | HiPerFET |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 60 ns |
| 高度： | 9.6 mm |
| Id-连续漏极电流： | 230 A |
| 长度： | 38.23 mm |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Pd-功率耗散： | 700 W |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.5 mOhms |
| 上升时间： | 150 ns |
| 晶体管极性： | 112 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 40 ns |
| 典型接通延迟时间： | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压： | 25.42 mm |
| 宽度： | 30 g |
在线询盘/留言
