IXFN100N50P德国IXYS艾赛斯SOT-227MOS管全新供应
IXFN100N50P德国IXYS艾赛斯SOT-227MOS管全新供应
产品价格:¥115.0000(人民币)
  • 规格:完善
  • 发货地:福建省厦门市
  • 品牌:
  • 最小起订量:1
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    会员级别:试用会员
    认证类型:企业认证
    企业证件:通过认证

    商铺名称:厦门屹宏电子科技有限公司

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    商品详情
      产品参数
      品牌IXYS
      封装标准封装
      批号23
      数量1000
      制造商IXYS
      产品种类MOSFET
      RoHS
      安装风格Chassis Mount
      封装 / 箱体SOT-227-4
      通道数量1 Channel
      晶体管极性N-Channel
      Vds-漏源极击穿电压500 V
      Id-连续漏极电流90 A
      Rds On-漏源导通电阻49 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压30 V
      最小工作温度- 55 C
      最大工作温度 150 C
      Pd-功率耗散1040 W
      配置Single
      通道模式Enhancement
      高度9.6 mm
      长度38.23 mm
      系列IXFN100N50
      晶体管类型1 N-Channel
      宽度25.42 mm
      正向跨导 - 最小值80 S
      下降时间26 ns
      上升时间29 ns
      典型关闭延迟时间110 ns
      典型接通延迟时间36 ns
      单位重量30 g
      可售卖地全国
      型号IXFN100N50P


      技术参数

      品牌:IXYS
      型号:IXFN100N50P
      封装:标准封装
      批号:23
      数量:1000
      制造商:IXYS
      产品种类:MOSFET
      RoHS:
      安装风格:Chassis Mount
      封装 / 箱体:SOT-227-4
      通道数量:1 Channel
      晶体管极性:N-Channel
      Vds-漏源极击穿电压:500 V
      Id-连续漏极电流:90 A
      Rds On-漏源导通电阻:49 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压:30 V
      最小工作温度:- 55 C
      最大工作温度: 150 C
      Pd-功率耗散:1040 W
      配置:Single
      通道模式:Enhancement
      高度:9.6 mm
      长度:38.23 mm
      系列:IXFN100N50
      晶体管类型:1 N-Channel
      宽度:25.42 mm
      正向跨导 - 最小值:80 S
      下降时间:26 ns
      上升时间:29 ns
      典型关闭延迟时间:110 ns
      典型接通延迟时间:36 ns
      单位重量:30 g
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