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英飞凌igbt模块·开关频率：
Infineon有8种IGBT芯片供客户选择。IGBT命名方式中，能体现IGBT芯片的年代。Infineon目前共有5代IGBT：代和代采用老命名方式，一般为BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2。代IGBT开始，采用新的命名方式。命名的后缀为：T3，E3，P3。IGBT命名的后缀为：T4，S4，E4，P4。第五代IGBT命名后缀为5。大家选择的时候，尽量选择一代的IGBT，芯片技术有所改进，IGBT的内核温度将有很大的提升。第三代IGBT能耐150度的极限高温。第四代IGBT能耐175度的极限高温。第五代据说能耐200度的极限高温。补充：是极限高温，不是正常工作的温度。
各代的IGBT芯片都有自己适合工作的开关频率，不能乱选型。具体如下：
后缀类型
开关频率(KHz)
饱和压降(V)
DLC
1 KHz ~8 KHz
2.10V
DN2
10 KHz ~20KHz
2.50V
S4
15 KHz ~30KHz
3.20V
E3
1 KHz ~10 KHz
1.70V
T3
8 KHz ~15KHz
1.70V
P4
1 KHz ~8 KHz
1.75V
E4
1 KHz ~12 KHz
1.75V
T4
8 KHz ~20KHz
1.75V
IGBT的“损耗”包括“导通损耗”和“开关损耗”。饱和压降只决定“导通损耗”。而“开关损耗”则由IGBT芯片本身决定。当开关频率很高时：导通的时间相对于很短，所以，导通损耗只能占一小部分。而绝大部分的损耗则是由“开关损耗”决定的。而S4芯片，优化了“开关损耗”，使其减少。达到“损耗”总体减少的目标。这个也是为低开关频率的IGBT芯片，为何饱和压降小的原因。低开关频率，“损耗”就主要由“导通损耗”决定了，所以，需要降低饱和压降。

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