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功率MOSFET 开关过程的电压波形如图3-9所示。开通时间ton分为延时时间td和上升时间t两部分,与功率MOSFET 的开启电压UGs(th)和输入电容Ci有关,并受信号源的上升时间和内阻的影响。关断时间toi可分为储存时间t、和下降时间t两部分,由功率MOSFET 源源间电容Cs和负载电阻决定。通常功率MOSFET 的开关时间为10~100ns,而双极型器件的开关时间则以微秒计,甚至达到几十微秒。
主要参数
通态电阻Ron通态电阻Ron是与输出特性密切相关的参数,是指在确定的栅源电压Ucs下,功率MOSFET 由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响最大输出功率的重要参数,在开关电路中决定了输出电压幅度和自身损耗大小。在相同的条件下,耐压等级愈高的器件,其通态电阻愈大,且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFETI 电压难以提高的原因之一。