可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
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加上科技部在2016年继续实施国家重大科学仪器专项，陆续有分析仪器企业加入并从中获得资助。这一切，都极大地促进了分析仪器产业未来的发展。作为东道主，华科仪边宝丽总经理也在致辞中也对各位理事的到来表示欢迎，并向多年来一直奋斗和耕耘在中国分析仪器战线上的专家、学者们表示崇高敬意。她表示，2017年北方区理事会会议是分析仪器界彼此促进、共同进步的一个有机载体，理事会选择在华科仪召开，为公司及全体员工提供了一次良好的学习机会。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
结构编辑
大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸

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钛酸锂电池存在的主要挑战主要包括，如何提高钛酸锂的电子电导率及其快速充电响应、如何进一步提高钛酸锂电极的理论容量、如何解决钛酸锂界面化学引发的胀气问题，以及如何优化设计全电池以实现钛酸锂的优势等。作者综述了近三年钛酸锂负极材料的相关文献，针对上述应用的挑战提出了性能优化策略、反应界面的稳定性和全电池设计的观点和建议，为今后钛酸锂电池的研究和工业发展指出了方向。在钛酸锂电极的性能优化策略中，从碳修饰、形貌控制、元素掺杂、杂质相复合、电池过放（放电电位接近0V）这五个方面进行阐述。

可控硅
管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。

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当然好处也有，就是产品的要求上升后，原来的部分高端客户有了更好的选择。所以就好像特朗普的出现一样，他反映了一个事实：在所有大的变化中，并不是每一个人、每一个集团、每一个板块都可以获得同等收益，而是势必有高有低、有得有失，这样社会矛盾就会生发。从整体看，低速电动车行业正处于一个靠市场换技术升级、靠时间换发展空间的阶段。而一个行业在高速增长阶段是高度依赖市场需求的，如果这个节点的需求萎缩，那就会对行业发展带来很大的影响。