注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
新闻:内蒙古BSM150GB120DLCIGBT模块
其中缘由，除准入门廊低外，行业抄袭模仿盛行，产品同质化严重，导致企业热衷于打价格战，再加上市场渐趋饱和，需求减少，以至于出现产能过剩。据数据显示，仅2015年，便有超过20%、约5000家LED相关企业退出市场。“未来，人们对产品品质及功能特性要求会越来越高，低价、低质产品难以形成独有客户，更不用说获得持续可观的盈利。”吴育林如是表示。另一方面，除了转型或打造双主业外，也有LED企业仍在坚守照明行业，个性化定制灯具成了这些企业尝试探索的新方向。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。

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这些政策和战略支撑了半导体产业的发展。各地方政府也把半导体产业作为优先支持的产业。此外，半导体产业的发展也离不开外部技术的引进。我们与国外加大合作力度，吸引一些国外企业到国内投资生产，在上海、苏州等地就有很多这样的企业。在这个过程中，我们学习一些较为先进的技术，不断缩小差距，加快自主研发进程。由于半导体这类高科技行业的寿命周期较短，如果不将一些技术一定程度地转移出去，获得利润，一项半导体技术也将很快地被新的科技创造超越。

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。

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除了像百度这样在硅谷创设人工智能实验室，包括政府雇员在内的中国公民频频出现在斯坦福大学的人工智能课堂上。斯坦福教授理查德·索科尔（RichardSocher）说，中国人很容易分辨，因为在最初几周过后，他的学生往往会逃课，选择看授课视频。而中国的旁听生会继续来上课，坐在教室前排。中国在尖端技术领域突飞猛进，人工智能只是其中一项。去年，中国还启用了世界上最快的超级计算机“神威·太湖之光”，取代了另一个曾经是世界最快的中国机型。