SIC模块动态偏压可靠性测试
SIC模块动态偏压可靠性测试
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    商品详情

      碳化硅的长期运行可靠性是目前业内关注的核心问题之一。由于宽禁带半导体器件本身的特性,如大量的界面问题导致的阈值电压漂移问题,传统的基于硅器件的失效模型已无法充分覆盖碳化硅的情况;研究表明需要采取动态的老化测试手段来进行评估。

      针对SiC分立器件和模块,广电计量参照JEDEC、AECQ101及AQG324标准进行检测验证,能力不仅覆盖用于验证传统Si器件长期稳定性的所有方法,还开发了针对SiC器件不同运行模式的特定试验,在较短时间内了解功率器件的老化特性,见表1。

      1 SiC器件/模块特定可靠性试验

      试验

      试验条件

      HV-H3TRB

      VDS=0.8VDSmax,Ta=85°C, RH=85%,t≥1000h

      高温高湿反偏测试HTRB

      VDS=VDSmax,Tvj=175°C,VG =-10 V,t≥1000h

      动态高温高湿反偏测试H3TRB

      VDS>0.5VDSmax,dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%,t≥1000h

      动态反向偏压(DRB)

      VDS≥0.8VDSmax,dVDS/dt (at DUT)=50V/ns,f ≥25 kHz,Ta= 25°C,t≥1000h

      动态栅偏(DGS)

      VGS = +22 to -8

      f = 20 kHz, 10% duty cycle,

      VDS = 0, Tj=175

      动态HTGB

      Ta=25℃;VDS=0V;dVGS/dt=1V/ns;

      f=100kHz;VGS=-4V/21V; 10^11cycles;

      动态高温正向偏压测试HTFB

      SiC体二极管双极退化

      试验咨询:钟工 150-1416-6472

       


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