| 详细介绍：
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采用此控制策略的半桥也称为双有源半桥［2，3］。
此控制策略与传统的移相全桥拓扑类似，区别在于移相的两个桥臂分布在变压器的原副边。此拓扑中，变压器的漏感是中间储能元件。原副边半桥各产生一个占空比为50%的方波，通过调节输出两个桥之间的移相来控制变压器漏感的能从而调节输出电压。此拓扑可实现全负载范围的软开关，同时输出又能获得同步整流。其缺点是：循环能非常大，输出电流纹波大。为了改善输出电流纹波大的缺点，移相ZVS半桥电路被提出［4］。13 脉冲移位PWM 控制
文献［5］提出脉冲移位PWM 控制策略。上管下降沿与下管前沿互补，脉宽相同。可实现下管的ZVS开通，上管仍然是硬开关。其优点是：可减少部分开关损耗；变压器不存在直流偏磁；整流管电压应力对称；宽范围输入上优于不对称半桥。增加辅助电路可实现上管的ZVS［6］。
14 不对称脉冲PWM 控制
文献［7］提出不对称脉冲PWM 控制，其下管下降沿与上管的前沿互补，上管可实现ZVS只要设计的占空比较小，无需其它措施即使工作在较高频率下开关损耗也很小。变压器直流偏磁，除占空比端点外，偏磁电流小于不对称半桥。宽范围适用性优于传统的不对称半桥。低压大电流的应用场合有一定的优势。
2 缓冲型软开关对称PWM 控制策略
对称控制半桥变换器磁心双向磁化，利用率高，且不存在偏磁。控制方便，控制特性线性。功率管上电压应力低，适用于高输入电压场合，但此种半桥变换器较难实现软开关，变换器效率难以得到提高。
21 对称PWM 控制ZVS半桥变换器
文献［8］提出一种对称PWM 控制ZVS半桥变换器（见图2），其与传统半桥电路相比，对称PWM 控制的ZVS直流变换器增加了一个由辅助开关管和一个二管组成的支路。其主开关管不仅工作在对称状态，而且下管和辅助开关管可在全负载范围内实现ZVS，上管也能在宽负载范围内实现ZVS，引起的附加损耗很小。该变换器器件所受应力小，可靠性高，其更适合采用MOSFET做开关管，较少应用于高电压、大功率场合。该变换器需要利用谐振电感的储能来实现开关管的ZVS，增大谐振电感能扩大上管ZVS范围，但会使占空比丢失严重，设计谐振电感时须权衡考虑实现上管ZVS和减小占空比丢失［9］。致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 宣布提供新一代工业温度碳化硅（silicon carbide，SiC）标准功率模块，它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。该功率模块系列还提供了更宽的温度范围，以期满足下一代功率转换系统对更高的功率密度、工作频率和效率的要求。
与硅材料相比，SiC技术提供了更高的击穿场强度和更好的热传导率，从而实现了参数性能特性改进，包括零反向恢复、不受温度影响的特性、更高的工作电压和更高的工作温度，以实现全新的性能、效率和可靠性水平。
美高森美功率模块产品集团经理Philippe Dupin称：“我们应用在功率半导体集成和封装领域的广泛的专业技术，提供下一代碳化硅功率模块系列，这些器件具有出色的性能、可靠性和综合质水平。我们的新模块还使得设计人员能够缩减系统尺寸和重，同时降低体系统成本。”
关于新的SiC模块
美高森美新的工业温度SiC功率模块具有多种电路拓扑，并且集成在较小的封装内。新模块产品系列中的大多数产品使用氮化铝（aluminum nitride，AIN）衬底，来实现与散热器的隔离，从而改善了至散热系统的热传递。
其它特性包括高速开关、低开关损耗、低输入电容、低驱动要求、小尺寸和小寄生电感，能够实现高频率、高性能、高密度和节能的电力系统。
新工业温度模块系列包括以下参数和器件：
? 1200V升压斩波电路（boost chopper），额定电流为50至100A （器件编号：APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2）
? 1200V相臂 （phase leg） 结构，额定电流为40至200A （器件编号：APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和 APTMC120AM55CT1AG）
? 600V中性点箝位结构，专用于太阳能或UPS应用的三逆变器，额定电流为20至160A （器件编号：APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG）
? 中性点箝位结构，600V1200V混合电压，额定电流为20至50A （器件编号：APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G）
美高森美的SiC产品组合包括分立和模块封装的肖特基二管，以及标准和定制配置的采用SiC肖特基二管和IGBT或MOSFET晶体管组合的功率模块。
供货
美高森美以短交货周期提供工业温度SiC标准功率模块样品。 要了解更多的信息，请联络当地美高森美公司销售代表。中国低压断路器行业是一个市场发展相对成熟的行业，具有竞争充分、生产企业众多等特点，该行业目前处于跨国公司与本土企业共存的竞争格局。低压断路器行业前10家企业所占整体市场份额在55~60%之间。
研究发现这个市场的参与者可以按照市场规模分为以下3个集团：
（1）处于一集团的公司是：Schneider和ABB，这两家厂商2010年销售额共计97亿，占据体市场近3成的份额，是中国低压断路器领域的品牌大鳄，地位难以撼动。
（2）处于二集团的公司是以正泰、常熟开关，西门子等为代表的“亿元厂商”。
（3）以上海益、常州凯隆代表的“亿元以下的小型厂商”位于三大阵营。
展望未来：
认为低压断路器市场经历了2011年良好的增长，随着智能电网的建设实施以及新能源行业的发展，未来几年将保持稳定的增长。主要表现在以下几个方面：
（1）智能电网建设大规模铺开带来的新增需求
智能电网的建设在2020年之前分三个阶段实施，一个阶段为2009-2011年，主要是研究和试点；二个阶段是2011-2015年，智能电网将大规模实施；三阶段是2016-2020年，实现整体的完善和提升。
目前，国家电网公司正在加紧制定的中国智能电网技术标准近200项。规划和标准的推出，使智能电网的建设进入行程，这些将给中、高端低压断路器带来巨大的需求。
（2）制造业的投资拉动未来增长
制造业是低压电器行业的重点应用领域，也是节能减排十大重点工程领域之一。中国制造业由于节能指标的压力，其对节能型控制及智能型配电电器产品将保持旺盛需求。
（3）风能、太阳能等新能源对中、高端低压断路器带来巨大的需求
哥本哈根会议后新能源投资成为世人瞩目的焦点。新能源、低碳经济成为电气设备行业的主要方向。新能源的大力开发将对高效稳定的中、高端低压电器产品构成较大需求。3-5年内对低压电器元件的需求预计会大幅增加。风力发电和光伏发电的逆变控制系统和并网技术等一批核心、关键技术有待突破，这也是低压电器行业今后拓展的一个方向。
1 引言
80年代问世的绝缘栅双性晶体管igbt是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr和mosfet的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等的不断提高，igbt成为了大功率开关电源、变频调速和有源滤波器等装置的理想功率开关器件，在电力电子装置中得到非常广泛的应用。
随着现代电力电子技术的高频大功率化的发展，开关器件在应用中潜在的问题越来越凸出，开关过程引起的电压、电流过冲，影响到了逆变器的工作效率和工作可靠性。为解决以上问题，过电流保护、散热及减少线路电感等措施被积采用，缓冲电路和软开关技术也得到了广泛的研究，取得了迅速的进展。本文就针对这方面进行了综述。
2 igbt的应用领域
21 在变频调速器中的应用［3］
spwm变频调速系统的原理框图如图1所示。主回路为以igbt为开关元件的电压源型spwm逆变器的标准拓扑电路，电容由一个整流电路进行充电，控制回路产生的spwm信号经驱动电路对逆变器的输出波形进行控制;变频器向异步电动机输出相应频率、幅值和相序的三相交流电压，使之按一定的转速和旋转方向运转。
22 在开关电源中的应用［5］
图2为典型的ups系统框图。它的基本结构是一套将交流电变为直流电的整流器和充电器以及把直流电再变为交流电的逆变器。蓄电池在交流电正常供电时贮存能且维持正常的充电电压，处于“浮充”状态。一旦供电超出正常的范围或中断时，蓄电池立即对逆变器供电，以保证ups电源输出交流电压。
ups逆变电源中的主要控制对象是逆变器，所使用的控制方法中用得为广泛的是正弦脉宽调制（spwm）法。
23 在有源滤波器中的应用［6］
并联型有源滤波系统的原理图如图3所示。主电路是以igbt为开关元件的逆变器，它向系统注入反向的谐波值，理论上可以完全滤除系统中存在的谐波。与变频调速器不同的是，有源滤波器pwm控制信号的调制波是需要补偿的各次谐波的合成波形，为了能确的反映出调制波的各次谐波成分，必须大大提高载波的频率。这对开关器件的开关频率也提出了更高的要求。3 igbt应用中的常见问题分析
显然，igbt是作为逆变器的开关元件应用到各个系统中的，常用的控制方法是pwm法。理论上和事实上都已经证明，如果把pwm逆变器的开关频率提高到20khz以上，逆变器的噪声会更小，体积会更小，重会更轻，输出电压波形会更加正弦化，可见，高频化是逆变技术发展方向［1］。但是通常的pwm逆变器中，开关器件在高电压下导通，在大电流下关断，处于强迫开关过程，在高开关频率下运行时将受到如下一系列因素的限制：
（1） 产生擎住效应或动态擎住效应
igbt为四层结构，使体内存在一个寄生晶闸管，等效电路如图4所示。在npn管的基与发射之间存在一个体区短路电rs，p型体区的横向空穴流会产生一定的压降，对j3来说相当于一个正偏置电压。在规定的范围内，这个正偏置电压不大，npn管不会导通。当ic大于一定程度时，该正偏置电压足以使npn管开通，进而使npn和pnp管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，栅失去控制作用，即擎住效应，它使ic增大，造成过高的功耗，甚至导致器件损坏。温度升高会使得igbt发生擎住的icm严重下降［2］。
在igbt关断的动态过程中，如果dvcedt越高，则在j2结中引起的位移电流cj2dvcedt越大，当该电流流过体区短路电阻rs时，可产生足以使npn晶体管开通的正向偏置电压，满足寄生晶闸管开通擎住的条件，形成动态擎住效应。温度升高会加重igbt发生动态擎住效应的危险。
（2） 过高的didt会通过igbt和缓冲电路之间的线路电感引起开关时的电压过冲
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