详细介绍:
LED调光电源专用0805/1206 1UF 2.2UF 4.7UF 10UF贴片高压电容
高压贴片电容特性:
1.等效串联电阻(ESR)小,阻抗(Z)低,与同等钽电容或者铝电解电容相比,ESR小几十倍,能量利用率高,发热小,价格低。
2.品种,规格齐全,体积小。容量从10pF到47uF,耐压从10V-6000V,体积最小可以达到1X0.5mm.
3.无极性,可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路,而且装配更为方便。
4.性能稳定,即使被击穿也不会燃烧,安全性高。
应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
日本原装进口贴片电容1812 16V 100UF
TDK 原装环保新货
C4532X5R1C107MT000N
1812107M16V X5R
500/盘
绝对真实库存
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TDK日本进口1812 4.7UF 50V 100V贴片电容
TDK 原装环保新货
C4532X7R1H475KT000N C4532X7R2A475KT
1812 475K 50V 100V X7R
DF<5%
1000/盘
绝对真实库存
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TDK日本进口1812 2.2UF 50V 100V 200V贴片电容
TDK 原装环保新货
C4532X7R2A225MT0L0U
1812 2.2u 100V 200V X7R
DF<5%
500/盘
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TDK 原装环保新货
C4532X5R0J107MT000N
1812107M6.3V X5R
500/盘
绝对真实库存
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TDK日本进口1812 22UF 25V 50V X7R贴片电容
TDK 原装环保新货
C4532X5R1E226MT000N C4532X7R1H226KT
1812226M25V 50V X5R X7R
500/盘
绝对真实库存
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TDK 原装环保新货
C4532X7T2W334KT0L0U
1812 450V 330NF X7T 10%
500/盘
绝对真实库存
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TDK原装现货库存
1812 X5R大容量(可代替钽电 耐电压冲击好,ESR低)
封装尺寸:1812(4.5mm*3.2mm)
标称电压:25V 16V 10V
容值:22uF 33uF 47uF
DF<5%
主要用于:各类电源和网络通讯产品,代替钽电 欢迎查询和索样!
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大量现货供应TDK电容C4532C0G2E473JT原装正品
TDK原装
各类无线高频产品专用
封装尺寸 1812(4.5*3.2mm)
高频NP0材质
超低损耗(DF>0.1%)
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TDK原装1812/4532 4.7UF 6.8UF 10UF 22UF贴片电容
C4532X7R1H475KT C4532X7R1H685KT C4532X7R1H106KT C4532X7R1H226KT
C4532X7R1E475KT C4532X7R1E685KT C4532X7R1E106KT
TDK原装现货库存
1812 X7R +-10%
封装尺寸:1812(4.5mm*3.2mm)
标称电压:50V和25V
容值:4.7uF 6.8uF 10Uf 22UF
DF<5%<>
工作温度:-55~+125度
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C4532X7T2W474KT C4532X7T2E684KT C4532X7T2T105KT
TDK原装现货库存
1812 450V和250V ( 代替CBB,缩小电源体积)
封装尺寸:1812(4.5mm*3.2mm)
标称电压:450V和250V
容值:0.47u 0.68u 1uF
DF<2.5%
工作温度:-55~+125度
主要用于:LED阻容降压,ADSL,电源模块,HID安定器,LED恒流驱动…等
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TDK原装进口
各类无线高频产品专用
封装尺寸 1206(3.2*1.6mm)
高频NP0材质
超低损耗(DF>0.1%)
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原装进口TDK贴片电容10UF 22UF 33UF 47UF 100UF
TDK原装环保新货
C3225X5R1C226KT000N C3225X7R1H106KT C3225X7R1V226KT C3225X5R1V476KT
1210(3.2MM*2.5MM) 16V 25V 35V 50V X7R X5R
DF<5%
主要用于:各类电源和网络通讯产品,可代替钽电 欢迎查询和索样!
工作温度:-55~+125度
绝对真实库存
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TDK原装贴片电容1206 22UF 16V 25V X7R
TDK 原装环保新货
C3216X7R1A226ZT000N C3216X7R1C226KT C3216X7R1E226KT
1206 226K 10V 16V 25V X7R X5R
DF<5%
主要用于:各类电源和网络通讯产品,可代替钽电 欢迎查询和索样!
工作温度:-55~+125度
2K/盘
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TDK原装贴片电容1206 100V 0.22UF 0.33UF 0.47UF 0.68UF
TDK 原装新货
C3216X7R2A684KT000N C3216X7R2A224KT000N C3216X7R2A334KT000N C3216X7R2A474KT000N
1206 684K 224K 334K 474K 50V 100V X7R +-10%
DF<2.5%
主要用于:各类电源和网络通讯产品,可代替钽电 欢迎查询和索样!
工作温度:-55~+125度
2K/盘
绝对真实库存
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TDK原装贴片电容1206 10UF 25V 35V 50V X7R
TDK原装新货 1206(3.2MM*1.6MM)
C3216X5R1C106KT000N C3216X7R1V106KT000N C3216X7R1H106KT000N
1206 106K 16V 25V 35V 50V X7R X5R
DF<5%
主要用于:各类电源和网络通讯产品,可代替钽电 欢迎查询和索样!
工作温度:-55~+125度
2K/盘
绝对真实库存
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TDK 原装环保新货
C3216X7R1H474KT000N
1206 0.47U 50V X7R X7R
绝对真实库存
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低容量电容NP0材料(10-6800pF):适用频率1-100MHz
1.温度系数:0±30ppm/℃,-55℃~125℃;
2.电容量漂移:不超过±0.3%或±0.05pF(取较大者)。
3.老化特性:无
高容量电容X7R材料(6800pF以上):适用频率不超过10KHz
1.温度特性:不超过±15%,-55℃~125℃。
2.老化特性:每10年变化1%ΔC,表现为10年变化约5%。
工作温度为环境温度与元件本体温升之和。
降额设计
设计者在选用电容器工作电压时,应考虑施加在电容器两端的直流电压与交流电压峰值之和不能超过额定电压。为保证产品及线路的可靠性,在实际设计时建议降额使用
使用注意事项
工作温度
电容器设计类别温度范围有−55℃~125℃、−55℃~85℃两种,设计者必须确保工作温度符合此范围。为延长电容器的使用寿命,推荐工作温度限制在低于上限类别温度10℃~15℃。设计者考虑电容器的
高压贴片电容用于:照明电源产品,高低频无极灯电源, 通讯电源交换机,LED日光灯恒流驱动电源,汽车HID灯(安定器),模块电源、医疗电源,LED阻容降压,、ASDL语音分离器、RJ45以太网接口、数码相机的闪光灯、LED圣诞灯,节能灯等以及各类电子产品中.
主要用于电源滤波,电源降压,倍压,吸收浪涌保护IC,基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用。应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能
MLCC 制作工艺流程:
1、原材料——陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能);
2、球磨——通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级);
3、配料——各种配料按照一定比例混合;
4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状;
5、流沿——将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料,保证表面平整);
6、印刷电极——将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上保证,不同MLCC的尺寸由该工艺保证);
7、叠层——将印刷好电极的流沿浆体块依照容值的不同叠加起来,形成电容坯体版(具体尺寸的电容值是由不同的层数确定的);
8、层压——使多层的坯体版能够结合紧密;
9、切割——将坯体版切割成单体的坯体;
10、排胶——将粘合原材料的粘合剂用390摄氏度的高温将其排除;
11、焙烧——用1300摄氏度的高温将陶瓷粉烧结成陶瓷材料形成陶瓷颗粒(该过程持续几天时间,如果在焙烧的过程中温度控制不好就容易产生电容的脆裂);
12、倒角——将长方体的棱角磨掉,并且将电极露出来,形成倒角陶瓷颗粒;
13、封端——将露出电极的倒角陶瓷颗粒竖立起来用铜或者银材料将断头封起来形成铜(或银)电极,并且链接粘合好电极版形成封端陶瓷颗粒(该工艺决定电容的);
14、烧端——将封端陶瓷颗粒放到高温炉里面将铜端(或银端)电极烧结使其与电极版接触缜密;形成陶瓷电容初体;
15、镀镍——将陶瓷电容初体电极端(铜端或银端)电镀上一层薄薄的镍层,镍层一定要完全覆盖电极端铜或银,形成陶瓷电容次体(该镍层主要是屏蔽电极铜或银与最外层的锡发生相互渗透,导致电容老衰);
16、镀锡——在镀好镍后的陶瓷电容次体上镀上一层锡想成陶瓷电容成体(锡是易焊接材料,镀锡工艺决定电容的可焊性);
17、测试——该流程必测的四个指标:耐电压、电容量、DF值损耗、漏电流Ir和绝缘电阻Ri(该工艺区分电容的耐电压值,电容的精确度等)
一NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后
小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
二X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
电容的主要特性参数
1容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级:I级±5%,II级±10%,III级±20%。在有些情况下,还有0级,误差为±20%。
精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。
(2)额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。
(3)温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。温度系数越小越好。
(4)绝缘电阻:用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。
(5)损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。
(6)频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。所有这些,使得电容器的使用频率受到限制。不同品种的电容器,最高使用频率不同。
电解电容,贴片电容,钽电容,震荡电容各自的性能和用法
电解质电容:容量体积比大、耐压较低、介质损耗大、绝大多数有极性,多用于低频电路如滤波、低频信号偶合等等。
普通电容:有多种介质类型,如纸、云母、瓷、涤纶、独石等,较共性的特点是,容量体积比小,容易做成高耐压,介质损耗小,无极性,多用于中、高频场合做信号偶合、退偶合、滤波、微分积分电路等。
无论电解电容还是其它电容,它们在表现“电容器“的主要特性上是一致的
1.瓷片电容比电解电容贵,因为它的性能比较稳定,而且容量偏差和损耗角都比较小。df一般小于1%,容量偏差也小于5%。缺点是价格高,体积大。
2.电解电容的特点是可以做到体积很小而容量很大,可以节省使用的空间。但是它的损耗叫很大,在10%以内,当然df〈5%也是可以订做得到。而且它的容量偏差一般也在10%以内。
3。第三当然是一个稳定性的问题了,瓷片电容的性能比较稳定,而电解电容长时间不用后容量会偏小,使用时需要先充电一段时间才能使用。
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