产品价格:4 元(人民币) 上架日期:2012年10月22日 产地:中国 发货地:中国 (发货期:当天内发货) 供应数量:不限 最少起订:1只 浏览量:880 暂无相关下载 其他资料下载:
简要说明:
3DD175(3DD176)NPN硅低频大功率晶体管
特点 产品采用三重扩散工艺,抗烧毁能力强,二次击穿耐量高,温度稳定性好,抗热疲劳能力强
应用范围 低速开关,低频功率放大,电源调整
试用温度范围 -55 ---+175℃
质量等级 国军标JP
执行标准 GJB33-97
极限参数
项 目
符 号
测试条件
规 格
单位
A
B
C
D
E
F
集电极-发射极电压
VCEO
50
100
150
200
250
300
V
集电极-基极电压
VCBO
5
最大集电极电流
ICM
30
最大集电极耗散功率
PCM
W
最高结温
Tjm
TC≤75℃
175
℃
存储温度
Tjstg
-55---+175
hFE色标
颜色
红
橙
黄
绿
蓝
紫
hFE
15-25
25-40
40-55
55-80
80-120
120-180
欢饮前来咨询 联系人 余先生 电话 13519124299