三极管是一种固态装置元件，它具有体积小、效率高、寿命长及速度快等优点。近年来由于技术的进步，已有大量的耐高压、能承受大功率的晶体被制造出来，因此电晶体在功率放大上，一直扮演着重要的角色。
电晶体的结构很像二极体，不过比二极体多出了一个 接合面。将二层n型半导体，中间夹以一层很薄的p型半导体，即成npn型电晶体；或 将二层p型半导体，中间夹以一层很薄的n型半导体，即成pnp型电晶体。
三极管将电晶体的三层晶片都分别列出接线成为电极，中间一片称为基极(base,b)，另两极分别称为射极(emitter,e) 及集极(collector,c)。射极能发射多数载体，基极可控制流向集极之多数载体的数量。集极则能收集射极发射的多数载体，如图3-15(b)所示，为电晶体的符号，射极之箭头向外的为npn型；射极之箭头向内的为pnp型。
NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
NPN三极管 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VC > VB > VE
PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位低，即 VC < VB < VE
总之 VB 一般都是在中间，VC 和 VE 在两边，这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。
如今流行的电路图画法，也就是“正电源在上负电源在下”。那NPN电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板（直接或间接）。
PNP三极管电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间接）。这也是为了满足上面的VC 和 VE的关系。一般的电路中，有了NPN的，你就可以按“上下对称交换”的方法得到 PNP 的版本。无论何时，只要满足上面的6个“极性”关系（4个电流方向和2个电压不等式），BJT电路就可能正常工作。当然，要保证正常工作，还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件，即所谓“工作点”条件。
对于NPN电路：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC（从电位更高的地方流进C极，你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗）。 对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC。
如果所需的输出信号不是电流形式，而是电压形式，这时就在 C 极加一个电阻 RC，把 IC 变成电压 IC*RC。但为满足 VC>VE， RC 另一端不接地，而接正电源。 而且纯粹从BJT本身角度，而不考虑输入信号从哪里来，共射组态和共基组态其实很相似，反正都是控制VBE，只不过一个“固定” VE，改变VB，一个固定VB，改变VE。
三极管对于共射组态，没有“固定参考点”了，可以理解为利用VBE随IC或IE变化较小的特性，使得不论输出电流IE怎么变化（当然也有个限度），VE基本上始终跟随VB变化（VE=VB-VBE），VB升高，VE也升高，VB降低，VE也降低，这就是电压跟随器的名称的由来。
PNP电路跟NPN是对称的，例如：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC（从C极流向电位更低的地方，你也可以把C极看作朝下的出水管）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC。
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上面所有的VE的“固定”二字都加了引号。因为E点有时是串联负反馈的引入点，这时VE也是变化的，但这个变化是反馈信号，即由VB变化这个因造成的果。
型号 极性 PCM(W） ICM（mA） BU(CEO)V fT(MHZ) hFE 主要用途 9011 NPN 0.4 30 50 370
28～198 通用功率放大
9012 PNP 0.625 500 40
64～202
9013 NPN 0.625 500 40 64～202
9014 NPN 0.625 100 50 270 60～1000 9015 PNP 0.45 100 50 190 60～600 9016 NPN 0.4 25 30 620 28～198 低噪声放大管 9018 NPN 0.4 50 30 1100 28～198 低噪声高频放大管 8050 NPN 1 1.5A 25 190 85～300 通用功率放大管 8550 PNP
1
1.5A
25
200
60～300
通用功率放大管
901x系列三极管
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140
详情如下： 90系列三极管参数
90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN
集电极-发射极电压 30V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.03A 耗散功率 0.4W 结温 150℃
特怔频率 平均 370MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 结构：PNP
集电极-发射极电压 -30V 集电极-基电压 -40V 射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 结构：NPN
集电极-发射极电压 25V
集电极-基电压 45V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 结构：NPN
集电极-发射极电压 45V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.4W 结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 结构：PNP
集电极-发射极电压 -45V 集电极-基电压 -50V 射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.45W 结温 150℃
特怔频率 平均 300MHZ
放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9016 结构：NPN
集电极-发射极电压 20V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.025A 耗散功率 0.4W 结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9018 结构：NPN
集电极-发射极电压 15V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.05A 耗散功率 0.4W 结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三极管8550
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管 集电极-基极电压Vcbo：-40V 工作温度：-55℃ to +150℃ 和8050（NPN）相对
主要用途： 开关应用，射频放大
三极管8050
8050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。 <8050管脚图>
8050三级管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K